Компания Intel собирается предлагать накопители на твёрдотельной памяти объёмом 80 Гб в качестве опции для ноутбуков поколения Centrino 2. Планируется, что в следующем году ёмкость SSD от Intel превысит 250 Гб. На страницах сайта
News.com появились дополнительные комментарии представителей Intel по этому поводу.
Компания Intel сообщает, что освоила производство микросхем памяти NAND плотностью 32 гигабита при использовании 34 нм технологии. Для сравнения - компания Toshiba намерена использовать для производства SSD объёмом до 256 Гб микросхемы памяти, выпущенные по 43 нм технологии. На прошлой неделе компания Samsung заявила, что до конца года представит SSD объёмом 256 Гб. В четвёртом квартале появится накопитель форм-фактора 1.8" объёмом 256 Гб от Samsung. Использование чипов плотностью 32 Гбита позволит Intel создавать SSD объёмом свыше 256 Гб, не выходя за рамки форм-фактора 1.8".
Прежние микросхемы NAND выпускались компанией Intel по 50 нм техпроцессу, и переход на 34 нм технологию позволил увеличить плотность записи информации в два раза при сохранении тех же размеров. К сожалению, пока никаких прогнозов о стоимости подобных устройств из уст представителей Intel мы не услышали, поскольку те сослались на переменчивость рынка и нестабильность цен. Одно очевидно - с появлением более плотных микросхем памяти стоимость накопителей типа SSD будет постепенно снижаться.
