Периодически на страницах профильных сайтов появляются новости об
освоении ведущими производителями микросхем очередных технологий,
облегчающих выпуск изделий с более плотным размещением элементов на
кристалле. Регулярно возникает вопрос о преодолении рубежа, за которым
необходимо будет менять существующие литографические технологии.
Например, переходить от литографии с использованием глубокого
ультрафиолета (DUV) с длиной волны 193 нм к литографии с использованием
сверхжёсткого ультрафиолета (EUV) с длиной волны 13,5 нм.
Как сообщает сайт TG Daily,
учёным из знаменитого Массачусетского Технологического Института
удалось продлить жизненный цикл используемой с середины девяностых
годов литографической технологии, опирающейся на глубокий ультрафиолет
с длиной волны 193 нм. Применение интерференционной литографии
позволило разработчикам создать на существующем оборудовании элементы с
линейным размером, соответствующим 25 нм технологии. До начала
применения этого метода в серийных масштабах предстоит решить некоторые
проблемы с используемыми материалами, но эта задача представляется
авторам посильной.
Интерференционная литография, однако, имеет свои ограничения. С
её помощью, например, нельзя создавать микросхемы с соседствующими
блоками разной формы. Тем не менее, для производства микросхем памяти,
элементов солнечных батарей и некоторых других устройств данный метод
вполне пригоден. По оценкам IBM и Intel, переход на EUV-технологию
намечен на 2013 год, когда микросхемы будут выпускаться по 16 нм нормам.
|
