Периодически на страницах профильных сайтов появляются новости об
освоении ведущими производителями микросхем очередных технологий,
облегчающих выпуск изделий с более плотным размещением элементов на
кристалле. Регулярно возникает вопрос о преодолении рубежа, за которым
необходимо будет менять существующие литографические технологии.
Например, переходить от литографии с использованием глубокого
ультрафиолета (DUV) с длиной волны 193 нм к литографии с использованием
сверхжёсткого ультрафиолета (E
...
Читать дальше »
